随着超大规模集成电路工艺的发展，半导体工艺已经进入了超深亚微米时代。工艺的发展使得将包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑甚至射频电路集成到一个大规模的芯片上，形成所谓的SoC(片上系统)。

在集成电路的制造过程中，通常要在晶圆表面刻出图形，其中必不可少的要用到胶片来进行图形的显影成像，然后再去除胶片。传统的去除胶片的方法多是手工操作完成。先用氨水浸泡，然后通过海绵布沿着一个方向擦几次，使胶片溶解脱离晶圆表面。

这种方法的缺点是：

(1) 浸泡时间需要用人工控制，如果时间过长，则损害晶圆表面，如果时间太短，则给后工序的去除造成麻烦；

(2) 生产率底下，且没有量化的标准，造成清洗的不彻底。

另外后端晶圆凸块工艺需使用助焊剂化合物协助将凸块与金属焊片结合在一起。凸块工艺完成后通常使用浸没和喷淋清洗设备清洗凸块周围的助焊剂残留物。最佳的清洗剂能结合清洗设备有针对性得清除不同型号的助焊剂，选择合适的清洗剂不会腐蚀金属并可以有效清除晶圆上的有机物和离子残留物。

因为凸块间间距变得越来越小，使得清除生产过程中产生的残留物变得更为关键并更具挑战性。最佳的清洗剂可溶解晶圆凸块制程后出现的有机和无机残留物。清洗工艺完成后，须用高纯度去离子水对晶圆进行漂洗，然后才能进行后续的封装工艺。

我们清洗的优势：

1. 有效清除水洗型及免洗型助焊剂残留物

2. 兼容各种裸露敏感金属

3. 可使用于浸泡, 离心及喷淋设备

4. 清洗后无离子性及无机类残留物